韓媒：三星2奈米良率提升至七成 劍指台積電龍頭寶座

南韓科技巨頭三星電子（Samsung Electronics）於9月底正式啟動2奈米GAA（環繞閘極）晶圓量產，首批將應用於次世代Exynos 2600晶片。根據《朝鮮日報》報導，三星半導體事業部技術長宋載赫（Song Jae-hyuk）在產業會議中表示，2奈米製程進展「極為順利」，似乎暗示三星即將迎來在晶圓代工領域的轉捩點。

三星近年在晶圓代工市場屢遭台積電壓制，全球市占甚至一度跌破20%，隨著2奈米GAA技術趨向成熟，三星正積極重整旗鼓。據悉，三星已將2奈米良率目標從50%上調至70%，且有望在年底前達成。知情人士指出：「隨著2奈米晶片進入全面量產，三星已順利達成預定的良率與性能指標。」

這次2奈米節點採用全新的GAA架構，取代傳統FinFET技術，可顯著提升功耗效率與晶體密度。三星預計未來兩年內完成第二代與第三代（SF2P+）製程開發，以維持與台積電在先進節點的競爭力。

另一方面，三星首款採用2奈米GAA技術的Exynos 2600晶片已完成內部測試，據報在AI運算效能上較蘋果A19 Pro與高通Snapdragon 8 Elite Gen 5高出達6倍；若最終商用結果與測試表現一致，三星有望重新奪回部分旗艦市場的聲望。

業界分析指出，2奈米製程的量產成功不僅象徵三星在技術上的復甦，也將改變全球晶圓代工競局。目前台積電仍計畫於2025年量產2奈米FinFlex製程，若三星能搶先穩定供貨，將成為首家商業化2奈米GAA的晶圓代工廠，對台灣半導體產業競爭格局帶來實質挑戰。