在全球半導體競賽進入新一輪技術賽道之際，美國政府正式向新創企業xLight注資高達1.5億美元，試圖以自由電子雷射（Free-Electron Laser, FEL）技術突破現行的光刻能量瓶頸，藉此重塑先進製程的全球技術版圖。
根據《路透》報導，這筆資金將來自《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act，或稱晶片法案），會以股權形式進行，同時，這也是川普政府旗下「CHIPS研發辦公室」首度出手投資，象徵華府將在關鍵製造設備領域重新施力，力圖奪回外移多年的高階光刻自主權。
美國商務部證實，已與xLight簽署「非約束性初步意向書」，將提供政府的資助與支持，但具體持股比例尚未公布。這筆資金主要用於開發可整合至極紫外光（EUV）或下一代光刻設備的自由電子雷射原型，目標是以粒子加速器為基礎的低能耗光源，挑戰現行市場由荷蘭半導體先進設備大廠ASML壟斷的技術格局。
目前，全球先進晶片製造高度依賴ASML的EUV光刻機（極紫外光光刻機），該公司也是現階段唯一能生產此類設備的供應商；儘管包括美國新創Substrate在內的多家新創企業正嘗試切入，但真正具備商業可行性的替代方案仍在早期階段，其中最困難的瓶頸正是「雷射光源」的研發門檻。
xLight的技術主張，是利用加速器物理將電子加速至高能態，再透過磁場產生高亮度相干光，以取代EUV系統中耗能極大的CO₂雷射。此方案有望將光刻機的電力消耗大幅降低至目前的一小部分，並能提升穩定度與長時間運作能力。該公司正與多家美國國家實驗室合作，希望在美國本土建立自主光源供應鏈。
美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）透過聲明強調，「美國在先進光刻這塊讓出主導權已經太久了，在川普總統任內，這種日子將宣告終結。」因此，這次投資也可視為美國對先進製造技術重掌主動權的重大承諾。
值得注意的是，xLight的管理陣容也增添重量級人物，前英特爾執行長季辛格（Pat Gelsinger）於今年3月正式加入並擔任執行董事長，外界認為其對半導體設備供應鏈的熟悉度，將有助提升xLight與現有光刻機製造商合作的可能性，包括與ASML以及未來其他潛在競爭者的接軌整合。
儘管前景獲得政策與科技界關注，但產業分析師多持審慎態度，自由電子雷射雖具高能量、高亮度與可調頻等優點，但體積、散熱、成本與工業化穩定度仍是巨大挑戰。此外，全新光源若要整合至EUV或High-NA EUV系統，需通過高度嚴苛的設備認證，短期內要取代ASML現行技術並不容易。
另一方面，美國政府出手支持新光刻技術的戰略意涵重大，在供應鏈安全、出口管制升級與高階GPU需求持續升溫的背景下，華府希望降低對單一國家或單一巨頭的依賴；特別是在AI晶片對先進製程需求爆炸性成長之際，次世代光刻能否突破能耗與生產力限制，將直接影響美國半導體產業競爭力。
