儘管美國與其盟國持續加強對中國半導體先進製程的出口管制，根據《路透》近期報導與多名知情人士說法，中國科研團隊正投入極紫外光（EUV）相關技術的研發，並已完成一套仍處於實驗階段的原型設備，目前正在測試中。
報導指出，該設備尚未用於實際晶片量產，但在實驗條件下已能產生極紫外光，顯示在部分基礎技術環節上取得進展。相關人士強調，這仍與全球唯一商業化 EUV 設備供應商 ASML 的量產系統存在明顯差距。
EUV曝光技術被視為7奈米以下先進製程的關鍵設備，目前僅ASML能提供完整商用機台，單價動輒超過2億美元。自2018年起，美國即透過外交與出口管制機制，限制相關設備對中國出口，並於 2022 年進一步擴大管制範圍。
《路透》引述分析人士指出，中國在先進半導體設備領域的研發，多由國家級科研體系與多個研究單位協同推動，目標在於降低對海外關鍵設備的依賴。部分技術整合與系統工程由大型科技企業參與協作，但相關專案的實際進度與技術成熟度，外界仍難以全面掌握。
報導亦提到，中國近年積極吸引具國際經驗的工程與研究人才回流，並提供研究資源與政策支持。不過，相關人士指出，跨國設備與核心零組件涉及高度複雜的光學、材料與製程整合，短期內仍難以全面複製既有商業化系統。
即使在實驗階段成功產生EUV光源，業界普遍認為，真正的挑戰仍在於高精度反射鏡系統、長時間穩定運作與量產可靠度。以ASM 為例，其關鍵光學元件長期由德國蔡司（Zeiss）提供，涉及高度專業分工與多年技術累積。
分析人士指出，即便中國在部分設備模組取得進展，距離完整商業化EUV系統仍存在顯著門檻。相關專案未來是否能進入實際晶片製造流程，仍有待後續技術驗證與產業測試。
外界普遍認為，中國在先進半導體設備領域的研究進展，將持續牽動美國與其盟友的科技與供應鏈政策調整；即使短期內難以改變全球EUV設備市場格局，但相關研發動向，已成為觀察全球半導體競爭的重要指標之一。
