商傳媒｜方承業／綜合外電報導
南韓 8 吋晶圓代工廠 SK keyfoundry 今日宣布，已成功開發出適用於 450V 至 2300V 電壓範圍的碳化矽（SiC）平面 MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）製程平台，並已獲得一家新客戶 1200V 碳化矽 MOSFET 產品的開發訂單，象徵正式進軍碳化矽複合半導體代工業務。
SK keyfoundry 表示，新的碳化矽平面 MOSFET 製程平台在高壓環境下展現出卓越的可靠性和穩定性。透過整體製程優化和核心製程的精確控制，良率已提升至 90% 以上，並提高了生產力。此外，該公司還提供客製化製程支援服務，可針對客戶的特定需求調整電氣特性和規格。
除了完成製程平台開發外，SK keyfoundry 也已獲得一家專精於碳化矽設計的客戶所下的 1200V 高壓產品訂單，並已開始進行開發。此製程將應用於客戶的工業設備，在熱效率管理中扮演關鍵角色。在原型評估和可靠性驗證後，該公司計劃於 2027 上半年開始全面量產。
SK keyfoundry 指出，此碳化矽平面 MOSFET 製程平台的開發，是公司收購碳化矽專業公司 SK powertech 後，整合雙方核心能力的首個成果。在技術開發完成後立即獲得客戶訂單，表明該平台已達到可立即商業化的成熟度和競爭力，超越了技術驗證階段。
SK keyfoundry CEO Derek D. Lee 表示，碳化矽平面 MOSFET 製程平台的開發，展現了 SK keyfoundry 在全球複合半導體市場中已確立獨立的技術領導地位。該公司將基於其具有高良率和可靠性的差異化製程，持續擴展高壓功率半導體解決方案，以滿足國內外客戶的需求。
碳化矽 MOSFET 因其高效率和耐高壓特性，在電動車、工業馬達控制、能源轉換等領域具有廣泛應用前景。SK keyfoundry 此舉預期將有助於提升台灣半導體產業在相關領域的競爭力，並為國內廠商提供更多元的代工選擇。
