商傳媒｜吳承岳／台北報導
韓國記憶體大廠SK海力士於美國那斯達克市場發行美國預託證券（ADR）後，其在韓國股市的股價在7月13日下一個交易日應聲暴跌逾15%，創下該公司歷史最大跌幅。此波跌勢也波及韓國整體股市，三星電子股價隨之急挫約11%，導致韓國綜合股價指數（KOSPI）狂瀉9%，觸發交易暫停機制，市場瀰漫恐慌情緒。
此次股價崩盤的背景是，SK海力士的股價自2022年底以來，受惠於人工智慧（AI）熱潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求急遽成長，股價飆漲逾25倍。然而，隨著ADR在美國上市，加上個人投資者利用槓桿交易半導體股票型ETF的行為激增，使得市場波動性大幅加劇，甚至一度迫使韓國金融監督院考慮採取穩定措施。
在股價巨幅震盪的同時，SK海力士也正積極推動在美國的生產布局。根據《koreajoongangdaily》報導，該公司正與美國晶片巨頭英特爾協商，洽購其位於俄亥俄州的半導體廠區。此舉旨在五年內啟動前端記憶體晶片生產，以滿足美國政府對於晶片在地製造的要求，同時也為面臨虧損的英特爾代工業務帶來資金流動性。
英特爾於2022年在俄亥俄州新奧爾巴尼破土動工，原規劃初期投入約280億美元，預計在2025年前完成兩座晶片廠並雇用3,000名工程師。然而，由於其代工部門去年虧損22億美元，今年第一季又再虧損24億美元，加上先進製程良率問題和延遲，英特爾已將俄亥俄廠的營運時間表推遲至2030至2031年間。目前，輝達、蘋果和超微半導體等美國主要科技公司，大多選擇台灣的台積電進行晶片製造。
美國商務部長霍華德·盧特尼克曾於7月10日公開表達希望三星電子和SK海力士能來美國設立生產設施的意願。SK集團主席崔泰源也在7月15日指出，當前記憶體晶片價格異常高昂，需要增加供應以降低價格，並表示SK集團正在美國積極尋找合適地點，以期能快速興建半導體廠。在此之前，SK海力士已投資約38.7億美元在印第安納州興建高頻寬記憶體封裝廠，預計2028年投入營運；三星電子則在德州泰勒市建造一座投資約370億美元的先進代工與研發設施，預計明年開始營運。
