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SK海力士擬增資294億美元 那斯達克上市搶攻AI記憶體

商傳媒
商傳媒
Published: 2026/06/29
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5 Min Read
SK海力士擬增資294億美元 那斯達克上市搶攻AI記憶體
SK海力士擬增資294億美元 那斯達克上市搶攻AI記憶體
圖/示意圖

商傳媒|吳承岳/台北報導

韓國記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)近日宣布一項重大財務策略,計畫透過增資與在那斯達克(Nasdaq)掛牌美國存託憑證(ADR,一種允許外國公司股票在美國交易所交易的憑證),共籌集約 294 億美元。此舉旨在擴大該公司的投資者基礎,並積極爭取全球投資者對人工智慧(AI)記憶體市場的投資興趣。

SK海力士董事會已批准此次的資本籌集與美國上市計畫。此大規模增資與那斯達克上市,被視為公司將流動性、所有權結構及未來融資彈性推向新階段的策略,特別是為了滿足與日俱增的AI相關記憶體需求。

為強化其在AI領域的競爭力,SK海力士已向主要客戶出樣 HBM4E 新一代動態隨機存取記憶體(DRAM)樣品。這款 HBM4E 具備更高的頻寬、更佳的電源效率以及優化的散熱能力,顯示其致力於在高階AI記憶體市場與美光(Micron)、三星(Samsung)等主要競爭對手保持領先地位。

儘管此次發行新股與 ADR 將導致股權顯著稀釋,但SK海力士仍決定採行,以確保有充足資金投入高頻寬記憶體(HBM)的開發與產能擴充。分析師已指出,此舉可能帶來非現金收益偏高和股價波動等風險,一旦那斯達克掛牌後市場情緒轉弱,這些風險恐被放大。不過,HBM4E 的出貨進展仍支持SK海力士在AI伺服器與資料中心記憶體市場的競爭力。

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